Specijalizirana za proizvodnju štapića od silicij-karbida, cijevi za zaštitu od silicij-karbida, cijevi od silicij-karbida, proizvoda od silimanita, cijevi za zaštitu od termoelemenata i drugih vrsta, stotine specifikacija i drugih proizvoda. Dugogodišnje iskustvo korištenja silicijevih karbidnih šipki sažeto je kako slijedi:
Radna temperatura: Što je viša temperatura štapića od silicijum-karbida, životni vijek je kraći. Naročito kada temperatura peći prelazi 1600 ° C, brzina oksidacije će se povećati i životni vijek štapića od silicijevog karbida će se skratiti. Stoga, nastojte da temperatura površine štapića od silicijevog karbida ne bude previsoka, odnosno potrebno je smanjiti razliku između temperature peći i temperature silicijevog karbida.
Površinsko opterećenje: Gustina površinskog opterećenja odnosi se na dopuštenu nazivnu snagu po jedinici površine grijaćeg dijela štapa.
Gustina površinskog opterećenja=nazivna snaga (W) / površina grejnog dela (cm2)
Praksa je dokazala da je razlika između temperature površine grejnog elementa i temperature peći takođe velika kada je gustina opterećenja velika. Ako je gustoća opterećenja velika, temperatura površine tijela štapa bit će visoka, otpor će se brzo povećati, a životni vijek SIC štapa bit će kratak. Stoga su gustoća opterećenja površinske temperature štapića od silicijum-karbida, atmosfera u peći i temperatura izravno proporcionalni brzini starenja SIC-štapa i obrnuto proporcionalni životnom vijeku SIC-štapa.
Atmosfera peći: za vrijeme pečenja štapići silicij-karbida reagirat će s mnogim kemijskim tvarima koje se emitiraju iz pečenih proizvoda. Ako reaguje sa vodom, vodonikom, azotom, sumporom, halogenom i drugim gasovima, rastopljenim aluminijumom, alkalijama, solju itd. Ako rastopljeni metal i metalni oksid dođu u kontakt, takođe će doći do reakcije, korozije ili oksidacije.
Režim rada peći: U kontinualnoj peći i peći sa prekidima, štapići od silicijum-karbida imaju duži životni vijek. Površina štapića od silicijum-karbida oksidira se tako da formira film silicijum-dioksida tokom upotrebe. Dugotrajna upotreba povećat će film silicij-dioksida, a povećaće se i otpor štapića silicij-karbida. Film silicijum dioksida se nenormalno širi i skuplja u blizini kritične tačke kristalizacije (270 ° C). Budući da temperatura fluktuira na toj temperaturi tokom isprekidane upotrebe u šaržnim pećima, silicijev sloj se više puta prekida kako bi ubrzao oksidaciju. Stoga, kada temperatura peći padne na sobnu, otpor se često naglo povećava.
Metoda ožičenja: Ako štapići od silicij-karbida imaju različite vrijednosti otpora, visoko-otporne šipke od silicij-karbida bit će koncentriranije povezane u seriju, što će lako dovesti do brzog povećanja otpora određene šipke od silicij-karbida i skraćivanja njegovog vijeka trajanja. Šipke od silicijum-karbida uglavnom se koriste u kombinaciji sa serijskim i paralelnim vezama. Preporučuje se korištenje 2 žice u seriji za uspostavljanje grupe, a zatim paralelno više grupa. Pogotovo kada temperatura u peći prelazi 1350 ℃, mora se povezati paralelno. Za trofazno ožičenje preporučuje se korištenje otvorenog trokutnog ožičenja.